[发明专利]用于低源漏电容的高频晶体管布局有效
| 申请号： | 200580020829.7 | 申请日： | 2005-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1973377A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | L·F·蒂梅杰 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/482;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王庆海;张志醒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种RF场效应晶体管具有栅电极、以及梳状的漏和源电极，布置该梳状的漏的指以与源电极的指交叉，该源和漏电极具有多层(110、120、130、140)。交叉量在每个层中可以不同，以能够最优化，尤其是对于低寄生电容，而没有失去由多层提供的低电流密度的所有优点。对于远离栅电极的层通过具有较短指来减小交叉。交叉的减小可以优选的，对于最小电容是通过交叉的陡峭减小、或源和漏的指中的最小横向电流密度是通过交叉的更逐渐减小。这能够在较高温度或在较高输入偏置电流的情况中实现操作，同时仍满足电迁移规则的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 漏电 高频 晶体管 布局 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，其具有栅电极(100)以及梳状的漏和源电极，该梳状的漏的指被布置成与源电极的指交叉，该源和漏电极具有多层(110、120、130、140)，交叉量在该多层的不同层中不同。
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