[发明专利]具有集成监测光电二极管的发光器件发明背景无效
| 申请号： | 200580020841.8 | 申请日： | 2005-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101048921A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·冈特 | 申请（专利权）人： | 菲尼萨公司 |
| 主分类号： | H01S3/04 | 分类号： | H01S3/04;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 单片形成的激光器和光电二极管。所述单片形成的激光器和光电二极管包括包含第一PN结的垂直腔面发射激光器(VCSEL)。所述第一PN结包括第一p层和第一n层。通过晶片制造工艺，隧道二极管物理地和电地连接到VCSEL。光电二极管连接到隧道二极管。所述光电二极管通过物理的和电的连接而连接到所述隧道二极管。所述隧道二极管和光电二极管可共用某些共同的层。所述隧道二极管包括第二PN结。所述单片形成的激光器和光电二极管允许具有二极管偏置灵活性的集成结构，包括使用单个电源以使所述激光器和光电二极管偏置。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 集成 监测 光电二极管 发光 器件 发明 背景 | ||
【主权项】：
1.一种光电子器件，包括：VCSEL二极管，其包括具有第一p层和第一n层的第一PN结；单片地耦合到所述VCSEL二极管的隧道二极管，所述隧道二极管包括高度掺杂的n+层和高度掺杂的p+层；以及单片地耦合到所述隧道二极管的光电二极管，所述隧道二极管包括第二PN结。
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