[发明专利]与晶片发射率无关的有效晶片温度控制的利用无效
| 申请号： | 200580020989.1 | 申请日： | 2005-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1973356A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | J·王;R·詹姆斯;E·J·拉姆伯特;J·莱昂纳;R·布林多斯;K·L·克努特森;M·阿姆斯特隆;J·桑福德 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/324;C23C16/48;C23C16/46;C23C16/458 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 实施例涉及衬底或者发射率大于硅晶片的发射率的晶片边缘支架，其中边缘支架用于在加工以在晶片上或者晶片中形成电路器件期间支撑晶片。实施例还包括温度传感器、导热气体喷嘴，并且光子能可以引导为在退火期间检测和控制边缘支架和/或晶片边缘的温度，以减少与晶片中心相比边缘的温度下降或者上升。具体地说，在加工期间利用具有大于或等于晶片发射率的发射率的边缘支架允许氦气喷嘴对准边缘支架和/或晶片边缘，以减少退火期间边缘的温度上升。因为来自不同工艺和退火位置的晶片可能全都具有不同的发射率，因此利用反馈环将允许一个边缘环支撑各种不同发射率的晶片的均匀退火。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 发射 无关 有效 温度 控制 利用 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在加热晶片期间，在晶片处理器件中冷却由边缘支架支撑的所述晶片的边缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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