[发明专利]垂直结构半导体器件无效
| 申请号： | 200580021006.6 | 申请日： | 2005-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN101366121A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 刘明哲 | 申请（专利权）人： | 沃提科尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制造具有提高的光输出的新的垂直结构化合物半导体器件的可靠方法以及一种用于大规模生产GaN基化合物半导体器件的激光剥离工艺。本发明的主旨在于在LLO之前，通过电镀法来采用直接金属支撑衬底沉积，以形成n侧顶部垂直结构。此外，紧接着p接触层采用ITO DBR层，以通过更高的反射率提高光输出。穿孔金属晶片载体也用于晶片键合，用以容易地处理以及松解。相比于传统LLO基垂直器件制造，新的制造工艺更可靠。与通过相同的GaN/InGaN外延膜制造的横向器件的光输出相比，具有n侧上部结构的新的垂直器件的光输出增加了2或3倍。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，其包括以下步骤：在衬底上方形成多个半导体层；在所述半导体层上方形成多个金属层；将所述衬底从所述半导体层去除；在去除了所述衬底的所述半导体层上方形成一个或多个电接触部；以及将所述半导体层分离成多个独立的半导体器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沃提科尔公司，未经沃提科尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580021006.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：Ce3+掺杂的硅酸镥多晶发光粉体的制备方法
- 下一篇：小型工件搬运装置
- 同类专利
- 专利分类
