[发明专利]氮化物半导体装置有效
| 申请号： | 200580021019.3 | 申请日： | 2005-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN1973360A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 青柳秀和;松尾哲二;杢哲次;田岛未来雄 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的氮化物半导体发光装置由硅衬底(1)、在其上配置的具有发光功能的主半导体区(3)及在主半导体区(3)上配置的p型半导体层(8)构成。主半导体区(3)由n型半导体层(6)、活性层(7)和p型半导体层(8)构成。透光性电极(10)由Ag合金构成。在透光性电极(10)的Ag合金中掺入了用以抑制氧化或硫化的添加元素。掺入了添加元素的Ag合金稳定性高且透光性及欧姆性优异。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体装置，其特征在于设有氮化物半导体区以及在该氮化物半导体区的主面形成的电极，所述电极由Ag与从Au、Cu、Pd、Nd、Si、Ir、Ni、W、Zn、Ga、Ti、Mg、Y、In及Sn中选择的至少1种添加元素的合金构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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