[发明专利]形成纳米簇电荷存储器件的方法有效
| 申请号： | 200580021085.0 | 申请日： | 2005-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101010785A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 拉杰施·A.·劳;拉马钱德兰·穆拉利德哈;罗伯特·F.·斯蒂姆勒;高里山卡尔·L.·钦达罗尔 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/461 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过使用覆盖纳米簇(24)的中间双多晶硅氮化物控制电极叠层来形成多个存储单元器件。该叠层包括第一成型多晶硅氮化物层(126)和第二成型含多晶硅层(28)。从包含该多个存储单元的区域中去除第二成型含多晶硅层。在一种形式中，第二成型含多晶硅层还包括也将被去除的氮化物部分，由此留下第一成型多晶硅氮化物层用于存储单元器件。在另一种形式中，第二成型含多晶硅层不包含氮化物，而第一成型多晶硅氮化物层的氮化物部分也被去除。在后一种形式中，后面的氮化物层形成在剩下的多晶硅层(28)之上。保护该器件的顶部免遭氧化。在该存储单元外围的器件的栅电极也使用第二成型含多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 纳米 电荷 存储 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成纳米簇电荷存储器件的方法，包括：提供具有与纳米簇电荷存储器件关联的第一掺杂阱和与没有纳米簇的半导体器件关联的第二掺杂阱的衬底；形成第一栅极叠层，该第一栅极叠层覆盖在第一掺杂阱上并具有形成第一栅极叠层中的栅电极的第一导电栅极材料层，第一导电栅极材料层覆盖多个内嵌在第一栅极介电层中的纳米簇，第一导电栅极材料层位于一部分第二导电栅极材料层之下；形成覆盖第二掺杂阱的第二栅极叠层，其中使用第二导电栅极材料层中覆盖第二掺杂阱的部分作为第二栅极叠层中的栅电极，去除第二导电栅极材料层中覆盖在第一导电栅极材料层上的部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
