[发明专利]用于化学处理TERA层的处理系统和方法有效
| 申请号： | 200580021098.8 | 申请日： | 2005-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN1973358A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 阿伦·莫斯丹;山下朝夫 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/027;G03F7/09 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李剑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了用于化学处理衬底上的TERA层的处理系统和方法。衬底的化学处理在化学上改性了衬底上的暴露表面。在一个实施例中，用于处理TERA层的系统包括用于在衬底上沉积TERA层的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统、用于在TERA层中产生特征结构的刻蚀系统以及用于减小TERA层中特征结构的尺寸的处理子系统。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 化学 处理 tera 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理衬底上的可调刻蚀速率ARC(TERA)层的方法，所述方法包括：利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统在所述衬底上沉积所述TERA层；利用刻蚀系统在所述TERA层中产生特征结构；以及减小所述TERA层中的所述特征结构的尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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