[发明专利]用于改进的对准工艺集成的细长特征部无效
申请号: | 200580021187.2 | 申请日: | 2005-06-03 |
公开(公告)号: | CN1973371A | 公开(公告)日: | 2007-05-30 |
发明(设计)人: | K·休金斯 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L21/3105;H01L21/321;H01L21/306;H01L21/768 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 对准或覆盖以及其它工艺的改进的集成。诸如衬底之类的对准的半导体部件具有多个特征部,它们可包含于对准标记或覆盖特征部中。在对准特征部附近使用诸如实体模型化特征部之类的细长特征部。例如,可在对准区中采用线形实体模型化特征部,其中来自对准过程的光可与对准特征部和细长特征部两者相互作用。细长特征部可在与对准特征部相同或不同的层上。细长特征部和对准标记根据采用的照明模式(明视场、暗视场)来确定彼此相对的方向以提高对准特征部的对比度。 | ||
搜索关键词: | 用于 改进 对准 工艺 集成 细长 特征 | ||
【主权项】:
1.一种方法,包括:在一个或多个半导体部件上形成多个细长特征部,所述细长特征部各自具有相关联的长尺寸和相关联的短尺寸,所述相关联的长尺寸大于所述相关联的短尺寸;以及在所述一个或多个半导体部件中的至少一个上形成多个对准特征部,所述多个对准特征部限定一对准区,所述对准区在平面中以第一外部对准特征部和第二外对部准特征部为边界并向下的延伸,其中所述多个细长特征部中的至少一个的一部分包含于所述对准区中。
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