[发明专利]制备自由流动的结晶物质的方法无效
| 申请号： | 200580021199.5 | 申请日： | 2005-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1972891A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | W·L·库克 | 申请（专利权）人： | 伊斯曼化学公司 |
| 主分类号： | C07C51/43 | 分类号： | C07C51/43 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 范赤 |
| 地址： | 美国田*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制备高纯度结晶芳族二羧酸产物的改进方法，所述方法包括至少一个使产物结晶的步骤，且其中所述结晶产物随后经历干燥步骤。所述改进方法进一步包括将结晶产物贮存足够的一段时间以使所述经干燥的结晶产物所携带的至少部分残留溶剂停留在结晶产物的表面上；和使所述经贮存的结晶产物与惰性流体接触足够的时间以除去所述经贮存的结晶产物中的至少部分残留溶剂。适合本改进方法的纯化结晶芳族二羧酸包括苯二甲酸、萘二甲酸、联苯甲酸、对苯二甲酸和间苯二甲酸。特别优选的芳族二羧酸包括对苯二甲酸和间苯二甲酸。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 自由 流动 结晶 物质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备高纯度结晶芳族二羧酸产物的方法，其中所述方法包括使产物结晶且随后将所得的结晶产物进行干燥的步骤，改进之处在于：a.将所述结晶产物贮存足够的一段时间，以使所述经干燥的结晶产物所携带的至少部分残留溶剂停留在所述结晶产物的表面上；和b.使所述经贮存的结晶产物与惰性流体接触足够的时间，以除去所述结晶产物表面上停留的至少部分残留溶剂。
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