[发明专利]低电压单层多晶硅电可擦编程只读存储器(EEPROM)存储单元无效

申请号：	200580021278.6	申请日：	2005-05-10
公开（公告）号：	CN1977358A	公开（公告）日：	2007-06-06
发明（设计）人：	M·I·昌德里;D·A·卡弗	申请（专利权）人：	爱特梅尔股份有限公司
主分类号：	H01L21/00	分类号：	H01L21/00;H01L21/28;H01L21/8238;H01L29/76;H01L21/8234;H01L29/788;H01L21/336;H01L29/00;H01L21/8228
代理公司：	上海专利商标事务所有限公司	代理人：	陈炜
地址：	美国加利***	国省代码：	美国;US
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明涉及一种电子存储单元(200)及一种所述存储单元的制造方法，其包括一与一位线构成耦合的第一晶体管(201)。当激活时，该第一晶体管(201)的电压降基本上为0并构成可以控制该存储单元(200)的操作。一第二晶体管(203)构成起一存储晶体管作用并与所述的第一晶体管(201)耦合。所述的第二晶体管(203)更可构成与一字线耦合并可构成以一电压编程，该电压约等于在所述的位线的电压。
搜索关键词：	电压单层多晶硅电可擦编程只读存储器 eeprom 存储单元
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【主权项】：

1.一种电子存储单元的制造方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤：在一半导体基质的最上边形成一第一漏极掺杂区及一第一源极掺杂区，对所述的第一漏极掺杂区及所述的第一源极掺杂区进行掺杂以提供施主部位；在一半导体基质的最上边形成一第二漏极掺杂区及一第二源极掺杂区，对所述的第二漏极掺杂区及所述的第二源极掺杂区进行掺杂以提供受主部位；在所述的第一漏极/第一源极掺杂区与所述的第二漏极/第二源极掺杂区之间大体上构成一浅沟隔离区；使所述的第一漏极掺杂区与所述的第二漏极掺杂区耦合作电连通；由所述的第二漏极掺杂区及第二源极掺杂区来制造一PMOS晶体管；该PMOS晶体管可在所述的存储单元内当作一选择晶体管，该PMOS晶体管进一步构成为当该PMOS晶体管在激活状态时，在第二源极掺杂区及第二漏极掺杂区之间的电压降基本上为零；由所述的第一漏极掺杂区及第一源极掺杂区来制造一NMOS晶体管；该NMOS晶体管构成为在所述的存储单元内当作一存储晶体管。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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