[发明专利]用于增强抗单事件干扰的集成电路结构有效
| 申请号： | 200580021427.9 | 申请日： | 2005-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1977341A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | L·S·西德呼;I·拉希姆;J·瓦特;J·E·特纳 | 申请（专利权）人： | 阿尔特拉公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于现场可编程门阵列(“FPGA”)集成电路(“IC”)器件的配置存储器单元(“CRAM”)被增强了对单事件干扰(“SEU”)的抵抗。与栅极结构其余部分的额定尺寸相比，CRAM输入节点的栅极结构的一部分在尺寸上增大了。部分扩大的栅极结构电容式地邻近IC的N阱区域，而另一部分电容式地邻近IC的P阱区域。不管输入节点的逻辑电位或电平，这种布置都增加了输入节点的电容以抵抗SEU。本发明也适用于希望增强对SEU的抵抗的任一类型存储器单元的任一节点。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 增强 事件 干扰 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
1.一种具有增强抗单事件干扰的集成电路存储器单元电路，包括：一个栅极，该栅极是所述存储器单元的一个节点的组成部分，且该栅极包括一个部分，该部分被扩大用以增加所述节点的电容。
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