[发明专利]软钎焊方法、芯片焊接用软钎料颗粒、芯片焊接软钎料颗粒的制造方法及电子零件有效
| 申请号： | 200580021535.6 | 申请日： | 2005-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN1977368A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 上岛稔 | 申请（专利权）人： | 千住金属工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;B23K35/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了得到在芯片焊接接合电子零件的半导体元件和基板时，尽管是无铅软钎料的颗粒，但产生的空隙仍然少的颗粒，在软钎焊过热时，在Sn为主成分的无铅软钎料合金的表面形成：无色透明的由30～50原子％的O、5～15原子％的P以及余量实质Sn构成的保护膜；以及由10～30原子％的In、40～60原子％的O、5～15原子％的P以及余量实质Sn构成的保护膜，从而得到该颗粒，其厚度为0.05～1mm，形状与基板大致相同。 | ||
| 搜索关键词： | 钎焊 方法 芯片 焊接 用软钎料 颗粒 软钎料 制造 电子零件 | ||
【主权项】：
1.一种芯片焊接用软钎料颗粒的软钎焊方法，该芯片焊接用软钎料颗粒接合电子零件的半导体元件和基板，该方法的特征在于，通过软钎焊时的加热，在Sn为主成分的无铅软钎料合金的表面形成：无色透明的厚度为0.5～20nm，且由30～50原子.％的O、5～15原子％的P以及余量实质Sn构成的保护膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
