[发明专利]制造包含分离层的多层结构的方法有效
申请号: | 200580021845.8 | 申请日: | 2005-05-20 |
公开(公告)号: | CN1998071A | 公开(公告)日: | 2007-07-11 |
发明(设计)人: | 米歇尔·布吕埃尔 | 申请(专利权)人: | 米歇尔·布吕埃尔 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/762;H01L21/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 顾晋伟;刘继富 |
地址: | 法国弗雷*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 一种用于生产在其深度范围内包含分离层的多层结构的方法,所述方法包括生产初始多层结构(1),该初始多层结构包括基础衬底(2)、表面衬底(5)以及位于基础衬底和表面衬底之间的吸收剂层(3)和可液化的中间层(4);所述吸收剂层(3)能在至少一个区域吸收光功率通量;所述中间层(4)至少在一个区域包括杂质,相对于构成所述中间层的材料,该杂质具有的偏析系数小于1;所述生产方法还包括在一定时间内将初始结构(1)暴露于至少一个脉冲方式的所述光功率通量下,调节所述功率通量以便于在热能传播效应下液化至少一部分所述中间层(4),这样由于原来存在所述杂质,在所述中间层至少部分固化之后,所述中间层(4)的至少一个特性和/或至少一个性质被改变,从而所述中间层至少部分地形成分离层。 | ||
搜索关键词: | 制造 包含 分离 多层 结构 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造多层结构的方法,所述多层结构在其深度范围内包括分离层,其特征在于,所述方法包括:-制造初始多层结构(1),其包含基础衬底(2)、表面衬底(5)以及在所述基础衬底和所述表面衬底之间的吸收剂层(3)和可液化中间层(4),所述吸收剂层可以在至少一个区域吸收光功率通量,所述可液化中间层至少在一个区域包括杂质,该杂质相对于构成所述中间层材料的偏析系数小于1;和-在限定时间内使所述初始结构(1)经受以至少一个脉冲形式的所述光功率通量,调节所述光功率通量以在热能传播效应下液化至少一部分所述中间层(4),所述热能传播效应源自光功率在所述吸收剂层(3)中的吸收、从所述吸收剂层(3)到所述中间层(4)中和/或光功率由所述中间层(4)的吸收,这样,由于初始存在的所述杂质,导致所述中间层(4)由于至少部分固化而改变至少一个特性和/或至少一个性质,因此该中间层至少部分构成分离层(16)
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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