[发明专利]通过选择性化学修饰将碳纳米管涂层形成图案无效
| 申请号： | 200580021956.9 | 申请日： | 2005-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101426589A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | P·J·格拉特考斯基 | 申请（专利权）人： | 艾考斯公司 |
| 主分类号： | B05D5/00 | 分类号： | B05D5/00;B32B9/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈 平 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及通过经由使用侧壁基团官能化而破坏涂覆的碳纳米管的导电性以修饰所述的碳纳米管(CNT)网络，将碳纳米管透明导电涂层/膜形成图案的方法。将得到的经历化学修饰的区域比那些没有改变的区域赋予更加导电或更不导电的。这导致了形成图案的膜，其中将所述图案成形而形成电极、像素、导线、天线或其它电子元件。另外，化学修饰的CNT的区域可以回复到它们初始的导电状态(即可逆的和可重复的)，或者被固定而产生永久图案。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 选择性 化学 修饰 纳米 涂层 形成 图案 | ||
【主权项】：
1. 一种将表面的导电涂层形成图案的方法，该方法包括：将碳纳米管涂覆到所述表面而形成涂层；将所述涂层的区域暴露于通过官能化碳纳米管侧壁基团仅修饰所述区域导电性的反应体。
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