[发明专利]真空处理装置有效
| 申请号： | 200580021978.5 | 申请日： | 2005-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1977363A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 高桥诚一;宫谷武尚;林秀夫;佐藤真幸;堤贤吾;小野洋平 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种处理室的更换容易的真空处理装置，本发明的真空处理装置(1)具有处理室(20)和输出输入室(10)。输出输入室(10)固定在处理室(20)的上方位置。另一方面，处理室(20)可通过升降机构(50)下降，所以若使处理室(20)下降，则处理室(20)从输出输入室(10)分离。此外，在处理室(20)上连接有搬运机构(30)，所以在从输出输入室(10)拆下处理室(20)后，也容易搬运处理室(20)。这样，根据本发明，与以往相比更换处理室(20)的操作变得简单容易。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种真空处理装置，具有：处理室，在真空气氛中处理基板；输出输入室，在前述处理室上方的位置连接于前述处理室，基板从外部气氛输入其中；前述基板在前述输出输入室和前述处理室之间被输送，能在维持前述处理室和前述输出输入室的上下位置关系的状态下，将前述处理室从前述输出输入室拆下。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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