[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200580022386.5 | 申请日： | 2005-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1981375A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 志村悟;久保田和宏;浅子龙一;高山星一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制造方法，在被处理体上配设的被蚀刻膜(74)上，形成具有规定开口图案的蚀刻掩模(75b)。然后，在第一处理室内，通过蚀刻掩模(75b)的开口图案，对被蚀刻膜(74)实施蚀刻处理，在被蚀刻膜上形成槽或孔(78a)。然后，将蚀刻处理后的被处理体在真空气氛下，从第一处理室搬送至第二处理室。然后，在第二处理室内，对作为被蚀刻膜(74)的露出部的槽或孔(78a)的侧面部实施硅烷化处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在配设在被处理体上的被蚀刻膜上形成具有规定开口图案的蚀刻掩模的工序；在第一处理室内，通过所述蚀刻掩模的所述开口图案，对所述被蚀刻膜实施蚀刻处理，由此在所述被蚀刻膜上形成槽或孔的工序；在真空气氛下，将所述蚀刻处理后的所述被处理体从所述第一处理室搬送至第二处理室的工序；和在所述第二处理室内，对作为所述被蚀刻膜的露出部的所述槽或孔的侧面部实施硅烷化处理的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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