[发明专利]可切换存储二极管－新存储装置有效
| 申请号： | 200580022534.3 | 申请日： | 2005-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101023539A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | J·H·克里格;S·斯皮策 | 申请（专利权）人： | 斯班逊有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40;H01L27/28;G11C13/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供用来形成与存储单元(100)整合的一个二极管组成部分以便有助于烧录由存储单元构成的存储单元阵列(300)的系统及方法。该二极管组成部分可以是设有具有不对称的半导电特性的无源层(104)及有源层(102)的存储单元(100)的PN结(106)的一部分。此种配置减少了若干晶体管型电压控制及相关联的电力消耗，同时可以烧录作为被动阵列的一部分的个别存储单元(100)。此外，该系统提供晶圆表面上的存储单元的有效率的配置，且增加了电路设计可用的空间量。 | ||
| 搜索关键词： | 切换 存储 二极管 装置 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元(100)，包含：有源层(102)，可根据自那里的离子、电子及空穴的至少其中之一当接受到外部电场及光照射的其中之一时的迁移而改变状态，该状态指示信息内容；以及有助于将电荷供应到该有源层(102)的无源层(104)，该无源层(104)及该有源层(102)产生pn结(106)，作为与该存储单元(100)成为一体的二极管的一部分。
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