[发明专利]全硅化金属栅极有效
| 申请号： | 200580022861.9 | 申请日： | 2005-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1981386A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 格伦·A·比利;米切尔·L·斯廷 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L31/062 | 分类号： | H01L31/062;H01L31/119 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种包括全硅化金属栅极以及硅化源极和漏极区的先进栅极结构，其中全硅化金属栅极具有大于硅化源/漏极区厚度的厚度。本发明也提供形成该先进栅极结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 全硅化 金属 栅极 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括由第一硅化物金属形成的具有第一厚度的全硅化金属栅极，以及由第二金属形成的具有第二厚度的相邻硅化源极和漏极区，其中所述第二厚度小于第一厚度，并且所述硅化源极和漏极区与至少包括该全硅化金属栅极的栅极区的边缘对准。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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