[发明专利]用于增大光发射器件最大调制速度的方法、增大了最大调制速度的光发射器件及其量子阱结构无效
| 申请号： | 200580022885.4 | 申请日： | 2005-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1981413A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 阿施史·唐顿;迈克尔·R·T·泰恩;英－兰·昌 | 申请（专利权）人： | 安华高科技光纤IP（新加坡）私人有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李瑞海 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明公开的方法包括形成AlxGa1－xAs阻挡层(610和650)、在这些阻挡层之间形成InGaAs量子阱层(630)、以及在量子阱层与各个阻挡层之间形成界面层(620)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 增大 发射 器件 最大 调制 速度 方法 及其 量子 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于增大光发射器件(100)的最大调制速度的方法，所述方法包括：形成A1GaAs的阻挡层(610和650)(步骤210)；在所述阻挡层(610和650)之间形成InGaAs量子阱层(630)(步骤220)；以及在所述量子阱层(630)与各个所述阻挡层(610和650)之间形成界面层(620和640)(步骤230)。
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