[发明专利]用于无源地稳定半导体元件的电源电压的装置

摘要

本发明涉及用于无源地稳定半导体元件中的电源电压的装置。在用于元件的标准单元10的布线的横向区域11内，在第一导电类型n的第一层3中导入由第二导电类型p构成的区域53，54。在此情况下在交界面上构成阻挡层，这些阻挡层的电容用于支持电源电压V_DD，Gnd。为此第二导电类型p的区域53，54或与同一导电类型p的衬底1相连接或与标准单元10内的槽36相连接，该槽具有第二导电类型n。

主权项

1.半导体装置，具有第二导电类型(p)的一个衬底(1)，第一导电类型(n)的一个埋层(2)及第一导电类型(n)的一个第一层(3)，其中在第一横向区域(10)中设置有带有源元件的标准单元，其中一个标准单元具有至少一个第一导电类型(n)的晶体管(33)及至少一个第二导电类型(p)的晶体管(23)，其中所述第二导电类型(p)的晶体管被引入到该第一层(3)中及所述第一导电类型(n)的晶体管被引入到一个由第二导电类型(p)的半导体材料构成的槽(36)中，其中该槽(36)被引入到该第一层(3)中，其中该标准单元通过一个电源电压供电，其中在一个与该第一层(3)导电地连接的第一接触部分上施加有该电源电压的一个第一极性(VDD)，及在一个与该槽(36)导电地连接的第二接触部分上施加有第二极性(Gnd)，其中在该第一层(3)的上面在第二横向区域(11)中导引着用于与标准单元连接的布线(60，61，62)并且在第二横向区域(11)中不设置有源元件，其中在该第一层(3)中在所述第二横向区域(11)内导入由第一导电类型的半导体材料构成的第一稳定区域(50，54)和/或第二稳定区域(51，53)，其中在这些稳定区域(50，51，53，54)与该第一层(3)之间的交界面(105-110)上构成阻挡层电容，其中这些第一稳定区域(50，54)与该槽(36)相邻接和/或其中这些第二稳定区域(51，53)通过一个由第一导电类型(n)的半导体材料构成的垂直连接部分(52)与由该第一导电类型(n)构成的衬底(1)相连接。