[发明专利]碳化硅单晶及其蚀刻方法无效
| 申请号： | 200580023035.6 | 申请日： | 2005-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN1985362A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 田坂明政;东城哲朗;稻叶稔;三本敦久;田中正道;岛卡欧利 | 申请（专利权）人： | 东洋炭素株式会社;三井化学株式会社;住友大阪水泥株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C30B29/36;C30B33/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供得到包括半导体领域等应用非常广泛的碳化硅单晶以及使用三氟化氮等离子体能够使碳化硅单晶平滑的碳化硅单晶的蚀刻方法。为了获得平滑性(表面粗糙度)在±150nm以内的碳化硅单晶以及该材料，对含有三氟化氮的气体进行等离子体激发，使碳化硅单晶表面平滑。并且，优选三氟化氮气体的压力为0.5～10Pa。另外，优选前述三氟化氮气体的流量为5～15sccm。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 及其 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.碳化硅单晶，其通过原子力显微镜测定的平滑性在±150nm以内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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