[发明专利]氮化物半导体器件的肖特基电极及其制作方法无效
| 申请号： | 200580023067.6 | 申请日： | 2005-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN1981381A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 宫本广信;中山达峰;安藤裕二;冈本康宏;葛原正明;井上隆;幡谷耕二 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L21/338;H01L29/423;H01L29/812;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于氮化物半导体器件的肖特基电极及其制作工艺，其具有高的势垒高度、低的漏电流性能和低电阻，并且热稳定。该氮化物半导体肖特基电极具有分层结构，该分层结构包括与氮化物半导体接触的铜(Cu)层和在铜(Cu)的上层上形成的第一电极材料。下述金属材料被用于第一电极材料，该金属材料具有比铜(Cu)的热膨胀系数低的热膨胀系数，并且在400℃或更高的温度下与铜(Cu)发生固相反应。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 肖特基 电极 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于氮化物半导体器件的肖特基电极，其特征在于：所述肖特基电极具有分层结构，该分层结构包括与氮化物半导体接触的铜(Cu)层和在所述铜(Cu)层上形成的作为其上层的第一电极材料层，并且所述第一电极材料开始与铜(Cu)发生固相反应的温度是400℃或更高。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社，未经日本电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580023067.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
