[发明专利]曝光装置、曝光方法、以及元件制造方法有效
申请号: | 200580023160.7 | 申请日: | 2005-06-08 |
公开(公告)号: | CN1985354A | 公开(公告)日: | 2007-06-20 |
发明(设计)人: | 长坂博之;恩田稔 | 申请(专利权)人: | 尼康股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵燕力 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 曝光装置(EX)具有投影光学系统(PL)。投影光学系统(PL),具有最接近其像面的第1光学元件(LS1)、及次于第1光学元件(LS1)接近像面的第2光学元件(LS2)。第1光学元件(LS1),具有:配置成与基板(P)表面对向的下面(T1)、及配置成与第2光学元件(LS2)对向的上面(T2)。以第2液体(LQ2)充满于第1光学元件(LS1)的上面(T2)与第2光学元件(LS2)之间,以在上面(T2)中、在包含曝光用光(EL)通过的区域(AR’)的区域形成液浸区域,通过第1光学元件(LS1)的下面(T1)侧的第1液体(LQ1)、与上面(T2)侧的第2液体(LQ2)将曝光用光(EL)照射于基板(P)上,由此使基板(P)曝光。如此能防止因光学元件污染使曝光精度劣化,并抑制液浸区域的巨大化。 | ||
搜索关键词: | 曝光 装置 方法 以及 元件 制造 | ||
【主权项】:
1.一种曝光装置,是通过液体将曝光用光照射于基板上来使基板曝光,其特征在于,具备:投影光学系统,具有复数个元件,其包含最接近像面的第1元件、以及次于第1元件接近像面的第2元件;第1元件,具有配置成与基板表面对向、使曝光用光通过的第1面;以及配置成与第2元件对向、使曝光用光通过的第2面;第1元件及第2元件,相对投影光学系统的光轴被支撑成大致静止的状态,将液体充满于第1元件的第2面与第2元件之间,以在第1元件的第2面中,仅使包含曝光用光通过的区域的部分区域成为液浸区域,通过第1元件的第1面侧的第1液体、与第2面侧的第2液体将曝光用光照射于基板上,以使基板曝光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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