[发明专利]气相生长装置用基座有效

专利信息
申请号: 200580023240.2 申请日: 2005-05-17
公开(公告)号: CN101023200A 公开(公告)日: 2007-08-22
发明(设计)人: 藤川孝;石桥昌幸;土肥敬幸;杉本诚司 申请(专利权)人: 三菱住友硅晶株式会社
主分类号: C23C16/458 分类号: C23C16/458;H01L21/205;H01L21/68
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 崔幼平
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种基座(10),设有用来在气相生长时收容晶片(W)的晶片凹部(101)。晶片凹部(101)至少具有晶片的外周部(W1)放置于其上的第1凹部(102)和在第1凹部之下形成的并具有小于第1凹部的直径的第2凹部(103)。基座(10)还设有流体通路(105),该流体通路的一端(105a)开口在第2凹部的纵壁面(103a)上,而且另一端(105b)开口在基座的背面(104)或侧面(106)上。
搜索关键词: 相生 装置 基座
【主权项】:
1.一种气相生长装置用基座,形成有用来在气相生长之际收容半导体晶片的晶片凹部,其特征在于,在前述晶片凹部的表面与背面或侧面之间形成有流体通路,该流体通路具有来自气相生长之际的加热源的辐射热不直接照射在前述半导体晶片的背面上的形状。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱住友硅晶株式会社,未经三菱住友硅晶株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200580023240.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top