[发明专利]气相生长装置用基座有效
申请号: | 200580023240.2 | 申请日: | 2005-05-17 |
公开(公告)号: | CN101023200A | 公开(公告)日: | 2007-08-22 |
发明(设计)人: | 藤川孝;石桥昌幸;土肥敬幸;杉本诚司 | 申请(专利权)人: | 三菱住友硅晶株式会社 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;H01L21/205;H01L21/68 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 崔幼平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种基座(10),设有用来在气相生长时收容晶片(W)的晶片凹部(101)。晶片凹部(101)至少具有晶片的外周部(W1)放置于其上的第1凹部(102)和在第1凹部之下形成的并具有小于第1凹部的直径的第2凹部(103)。基座(10)还设有流体通路(105),该流体通路的一端(105a)开口在第2凹部的纵壁面(103a)上,而且另一端(105b)开口在基座的背面(104)或侧面(106)上。 | ||
搜索关键词: | 相生 装置 基座 | ||
【主权项】:
1.一种气相生长装置用基座,形成有用来在气相生长之际收容半导体晶片的晶片凹部,其特征在于,在前述晶片凹部的表面与背面或侧面之间形成有流体通路,该流体通路具有来自气相生长之际的加热源的辐射热不直接照射在前述半导体晶片的背面上的形状。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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