[发明专利]电气器件的高密度结合无效
| 申请号： | 200580023314.2 | 申请日： | 2005-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1985351A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | K·凯恩;D·N·爱德华兹;J·芒恩;R·梅赫比;I·J·福斯特;T·C·维克雷 | 申请（专利权）人： | 艾利丹尼森公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种对一个或多个电气器件进行热压结合的方法，所述方法使用独立的加热元件和一个弹性构件以将独立的加热元件和电气器件压缩接合。所述独立的加热元件可以采用居里点加热元件或者传统的电阻加热元件。本发明同时也提供了一种使用透明挠性板和热辐射对一个或多个电气器件进行热压结合的方法。在一个实施例中，所述热辐射是近红外热辐射，所述透明挠性板是由硅橡胶组成。结合材料可以采用粘合剂或者热塑性的结合材料。本发明同时也提供了一种使用压敏粘合剂将半导体芯片到电气部件上的方法。所述方法包括通过将结合器件的挠性板与所述半导体芯片压缩接合以实现对芯片的压缩。 | ||
| 搜索关键词： | 电气 器件 高密度 结合 | ||
【主权项】：
1.一种将半导体芯片(204/704)热压结合到电气部件的方法包括：将所述半导体芯片(204/704)定位在所述电气部件上；和使用热压结合器件(200/500)对结合材料进行加热；其中所述加热包括施压将所述结合器件(200/500)的至少一个加热元件(220)和所述半导体芯片(204/704)压缩接合；而且其中所述施压包括使用所述结合器件(200/500)的弹性构件对至少一个加热元件(220)进行下压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
