[发明专利]基板加热装置和基板加热方法有效
| 申请号： | 200580023775.X | 申请日： | 2005-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN1985357A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 西孝典;北野高广;奥村胜弥 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;株式会社奥科泰克 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/38;G03F7/039 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 范晓斌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基板加热装置用于在曝光后和显影前的时期内加热涂覆有化学增强型抗蚀剂的基板，该装置具有：安装台，用于在抗蚀剂涂覆薄膜朝上的情况下基本水平地安装基板；流体供给机构，用于向基板供给甘油；以及加热机构，用于在甘油与抗蚀剂涂覆薄膜接触的状态下加热安装台上的基板，其中，在甘油与抗蚀剂涂覆薄膜接触的状态下对安装台上的基板进行加热。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板加热装置，用于在曝光后和显影前的时期内对涂覆有化学增强型抗蚀剂的基板进行加热，其特征在于，该装置包括：安装台，用于在抗蚀剂涂覆薄膜朝上的情况下基本水平地安装该基板；流体供给机构，用于向基板供给抗蚀剂改性流体，以便加速化学增强型抗蚀剂中的酸催化反应；以及加热器，用于在抗蚀剂改性流体与抗蚀剂涂覆薄膜接触的状态下对安装台上的基板进行加热。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社;株式会社奥科泰克，未经东京毅力科创株式会社;株式会社奥科泰克许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580023775.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用移动通信终端传送和接收消息的方法
- 下一篇：火焰检测系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
