[发明专利]氮化物半导体及其制备方法有效
| 申请号： | 200580024108.3 | 申请日： | 2005-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1989626A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 笠原健司;佐佐木诚;清水诚也 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制备由通式InxGayAlzN(其中x+y+z＝1，0x1，0y1，和0z1)表示的氮化物半导体的方法，其特征在于在550和850C范围内的温度下，在p－型接触层和n－型接触层之间，形成厚度为500至5000 的由通式InaGabAlcN(其中a+b+c＝1，0a1，0b1，和0c1)表示的非掺杂的氮化物半导体(A)。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备由通式InxGayAlzN(其中x+y+z＝1，0≤x≤1，0≤y≤1，和0≤z≤1)表示的氮化物半导体的方法，其特征在于在550和850℃范围内的温度下，在p-型接触层和n-型接触层之间，形成厚度为500至5000的由通式InaGabAlcN(其中a+b+c＝1，0≤a≤1，0≤b≤1，和0≤c≤1)表示的非掺杂的氮化物半导体(A)。
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