[发明专利]制造具有盖层和凹进栅极的氮化物基晶体管的方法有效
| 申请号： | 200580024615.7 | 申请日： | 2005-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1989601A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | S·谢泼德;R·P·史密斯 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/306;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;刘杰 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在形成栅极接触例如肖特基接触之前对栅极凹进退火可以减小半导体器件例如晶体管中的栅极泄漏和/或提供高质量的栅极接触。在退火期间使用封装层可以进一步减小对于晶体管的栅极凹进中的半导体的损伤。例如可以通过退火器件的欧姆接触来提供该退火。因此，可以提供具有降低的栅极区的退化的高质量的栅极和欧姆接触，其可能是由于提供凹进的栅极结构因形成凹进过程中的刻蚀损伤导致的。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 盖层 凹进 栅极 氮化物 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制作高电子迁移率晶体管(HEMT)的方法，包括：形成沟道层；在沟道层上形成阻挡层；在阻挡层上形成盖层；在盖层中形成延伸到阻挡层的栅极凹进；退火阻挡层、沟道层和具有栅极凹进的盖层；然后在退火的栅极凹进中形成栅极接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
