[发明专利]SIMOX基板的制造方法无效
| 申请号： | 200580024663.6 | 申请日： | 2005-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN1989592A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 足立尚志;小松幸夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社上睦可 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/12;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SIMOX基板的制造方法，其中把注入氧离子的硅基板在氩和氧的混合气体气氛下，进行1300～1350℃的热处理而获得SIMOX基板。在氧离子注入后热处理之前，把硅基板在惰性气体或还原性气体或者混合气体气氛中，在温度为1000～1280℃的范围内进行5分钟至4小时的预热处理。注入氧离子的硅基板优选空洞缺陷或COP组成的晶体缺陷密度在1×105cm－3以上，并且晶体缺陷尺寸分布的最大频率在0.12μm以下。进一步优选在预热处理后，把硅基板在惰性气体或还原性气体或者其混合气体气氛中，降温至600～1100℃，然后在氩和氧的混合气体气氛下进行热处理。 | ||
| 搜索关键词： | simox 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SIMOX基板的制造方法，其特征在于：它是把注入氧离子的硅基板在氩和氧的混合气体气氛下进行1300～1350℃的热处理而获得SIMOX基板的SIMOX基板制造方法，其中，在氧离子注入后前述热处理之前，把上述硅基板在惰性气体或还原性气体或者惰性气体和还原性气体的混合气体气氛中，在1000～1280℃的温度范围内进行5分钟至4小时的预热处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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