[发明专利]衬托器有效
| 申请号： | 200580024815.2 | 申请日： | 2005-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN101001978A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 藤田一郎;藤原广和 | 申请（专利权）人： | 东洋炭素株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/32;C30B29/36;H01L21/205;H01L21/68 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过保持晶片周边的Si和C的浓度恒定且抑制颗粒的产生，可获得高品质SiC半导体晶体的衬托器。本发明的衬托器是载置晶片的部分的至少一部分为碳化钽或碳化钽包覆石墨材料的、碳化硅包覆石墨材料的衬托器。载置上述晶片的部分也可是自由分离的部件。又，载置上述晶片的部分的周边部也可以是自由分离的碳化硅包覆石墨材料。 | ||
| 搜索关键词： | 衬托 | ||
【主权项】：
1、一种碳化硅包覆石墨材料的衬托器，载置晶片的部分的至少一部分是碳化钽或碳化钽包覆石墨材料。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
