[发明专利]SOI基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200580025175.7 | 申请日： | 2005-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN1989620A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 森田悦郎;佐野理太郎;远藤昭彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社上睦可 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/02;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 该SOI基板具备由半导体单晶构成的支承基板和经由氧化膜在上述支承基板上贴合并由半导体单晶构成的活性层，上述氧化膜只在上述活性层上形成，只选择使用通过等离子体蚀刻法生成的反应性自由基蚀刻上述活性层表面，由此使上述活性层的厚度在10－200nm的范围内形成，并且使上述活性层整体的膜厚差在1.5nm或以下。 | ||
| 搜索关键词： | soi 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.SOI基板，其特征在于：具备由半导体单晶构成的支承基板和经由氧化膜在上述支承基板上贴合且由半导体单晶构成的活性层，上述氧化膜只在上述活性层上形成，只选择使用通过等离子体蚀刻法生成的反应性自由基来蚀刻上述活性层表面，使上述活性层的厚度在10-200nm的范围形成，并且使上述活性层整体的膜厚差形成为1.5nm或以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
