[发明专利]转移晶片的方法有效
| 申请号： | 200580025193.5 | 申请日： | 2005-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1989594A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 贝尔纳·阿斯帕尔;克里斯特勒·拉加埃－布朗夏尔 | 申请（专利权）人： | 特拉希特技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种要被转移到另一基片上的薄层(28)或芯片的预加工方法，该方法包括在所述薄层或芯片的表面上形成被称作粘结层的至少一个层(25)和被称作第一阻挡层的至少一个层(22)，所述粘结层由相对于所述阻挡层的材料具有蚀刻选择性的材料形成。 | ||
| 搜索关键词： | 转移 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种将薄层(28、38、48)或芯片转移到基片上的方法，所述薄层或芯片由支撑片(24、34)支撑，且具有表面拓扑，因此按垂直于所述薄层限定的平面的方向具有高度或水平差异，所述方法包括：——在所述薄层或芯片的表面上形成被称作粘结层(22、24、32、58、54、42)的至少一个层和被称作第一阻挡层(20、21、51、52)的至少一个层，所述粘结层由相对于所述阻挡层的材料具有蚀刻选择性的材料形成，——将所述薄层或芯片转移到所述基片，——除去所述粘结层和所述第一阻挡层，以便再现初始拓扑。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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