[发明专利]二次电池用SiO粉末及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200580025292.3 申请日: 2005-05-27
公开(公告)号: CN1989639A 公开(公告)日: 2007-06-27
发明(设计)人: 木崎信吾;西冈和雄 申请(专利权)人: 住友钛株式会社
主分类号: H01M4/02 分类号: H01M4/02;H01M4/48;H01M10/40
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李贵亮
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种二次电池用SiO粉末,其特征是,用于锂二次电池的负极材料中,含氢浓度在80ppm以上,可以实现放电容量或循环容量维持率的飞跃性的提高,实现锂二次电池的小型化或低成本化。该SiO粉末的制造方法由于将二氧化硅粉末与含氢浓度为30ppm以上的硅粉末混合,加热到1250~1350℃,在将SiO气化后,向析出基体析出所述SiO,其后进行粉碎,从而可以有效地制造SiO粉末,可以大幅度降低电费等制造成本,所以作为二次电池用SiO粉末可以广泛地应用。
搜索关键词: 二次 电池 sio 粉末 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种二次电池用SiO粉末,其特征是,用于锂二次电池的负极材料中,含氢浓度在80ppm以上。
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