[发明专利]振荡器

摘要

在本发明的振荡器中，作为放大器件而含有的场效应晶体管(12)、(13)是具有在半导体基板上所形成的基极区域、在所述基极区域上所形成的与所述基极区域不同的导电型源极区域以及漏极区域、在所述源极区域以及漏极区域之间所形成的埋沟层、和在所述埋沟层的上方通过删极绝缘膜而形成的删极电极的埋沟型晶体管，并且与所述基极区域电连接的基极端子(b12)、(b13)与用来供给电源电位(Vdd)的电源配线连接。

主权项

1.一种振荡器，其特征在于，包括：第一电源配线和在与该第一电源配之间被施加电源电压的第二电源配线、共振电路、各自的源极区域之间被电连接并且各自的漏极区域与所述共振电路电连接同时相互以差动对连接的一对第一以及第二场效应晶体管、和在所述第一以及第二场效应晶体管的各个源极区域之间被电连接的部分与所述第二电源配线之间连接的电流源，其中，所述第一以及第二场效应晶体管是分别包括在半导体基板上形成的第一导电型的基极区域、在所述基极区域上形成的第二导电型的所述源极区域以及漏极区域、在所述源极区域以及漏极区域之间形成的埋沟层、和在所述埋沟层的上方通过栅极绝缘膜而形成的栅极电极的埋沟型晶体管，并且设置有与所述基极区域电连接的基极端子，为了使所述第二电源配线的电位和被供给至所述基极端子的基极电位之间的电压与由所述电流源引起的电压降之差的电压正向施加在所述第一以及第二场效应晶体管各自的所述源极区域和所述基极区域间的半导体结上，并且变成所述半导体结的扩散电位差以下，而在所述基极端子上设置供给所述基极电位的基极电位供给电路。