[发明专利]形成存储层的方法无效
申请号: | 200580025448.8 | 申请日: | 2005-07-01 |
公开(公告)号: | CN101015072A | 公开(公告)日: | 2007-08-08 |
发明(设计)人: | R·恩格尔;J·舒曼;A·沃特;R·塞兹;A·马尔坦伯杰 | 申请(专利权)人: | 奇梦达股份公司 |
主分类号: | H01L51/40 | 分类号: | H01L51/40;H01L51/30;G11C13/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 温宏艳;李连涛 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本申请的主题是生产层的方法,该层由金属组成的第一层和有机化合物的第二层构成,其中金属和有机化合物相互作用,使得所述层用作非易失存储器的电活化层,其中,金属层沉积在基材上,并视需要结构化,接着,用有机化合物涂覆,并用第二有机化合物处理。 | ||
搜索关键词: | 形成 存储 方法 | ||
【主权项】:
1.用于制备电荷转移层(CT层)的方法,该层由由金属组成的第一层和第一有机化合物的第二层构成,其中,金属和第一有机化合物可以形成CT复合体,使得该层在非易失存储器中用作电活化层,其特征在于具有以下步骤:-在基材上沉积金属层以及视需要对金属层结构化;-用第一有机化合物涂覆金属层;以及-用第二有机化合物的蒸汽处理用第一有机化合物涂覆的金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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