[发明专利]形成存储层的方法无效

专利信息
申请号: 200580025448.8 申请日: 2005-07-01
公开(公告)号: CN101015072A 公开(公告)日: 2007-08-08
发明(设计)人: R·恩格尔;J·舒曼;A·沃特;R·塞兹;A·马尔坦伯杰 申请(专利权)人: 奇梦达股份公司
主分类号: H01L51/40 分类号: H01L51/40;H01L51/30;G11C13/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 温宏艳;李连涛
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请的主题是生产层的方法,该层由金属组成的第一层和有机化合物的第二层构成,其中金属和有机化合物相互作用,使得所述层用作非易失存储器的电活化层,其中,金属层沉积在基材上,并视需要结构化,接着,用有机化合物涂覆,并用第二有机化合物处理。
搜索关键词: 形成 存储 方法
【主权项】:
1.用于制备电荷转移层(CT层)的方法,该层由由金属组成的第一层和第一有机化合物的第二层构成,其中,金属和第一有机化合物可以形成CT复合体,使得该层在非易失存储器中用作电活化层,其特征在于具有以下步骤:-在基材上沉积金属层以及视需要对金属层结构化;-用第一有机化合物涂覆金属层;以及-用第二有机化合物的蒸汽处理用第一有机化合物涂覆的金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奇梦达股份公司,未经奇梦达股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200580025448.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top