[发明专利]具有硅化区的半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200580025511.8 | 申请日： | 2005-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN1993808A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | J－P·陆;C·蒙哥马利;L·霍尔;D·迈尔斯;D·乐;T·D·波尼费尔德 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/44 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了制造半导体器件的方法，以及制造包括半导体器件的集成电路的方法。所述制造半导体器件(100)的方法，除了其它步骤外，包括在衬底(110)之上形成栅结构(120)和在所述衬底(110)中紧邻着所述栅结构(120)形成源/漏区(190)。该方法进一步包括对所述栅结构(120)和衬底(110)进行干蚀刻工艺处理，以及在对所述栅结构(120)和衬底(110)进行干蚀刻工艺之后，在所述源/漏区中放置氟，以形成氟化源/漏极。此后，所述方法包括在所述栅结构(120)和所述氟化源/漏极中形成金属硅化物区(510、520)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 硅化区 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底之上形成栅结构；在所述衬底中邻近所述栅结构处形成源/漏区；使所述栅结构和衬底经历干蚀刻工艺；在所述栅结构和衬底经历所述干蚀刻工艺之后，在所述源/漏区中放置氟，以形成氟化源/漏极；和在所述栅结构中和所述氟化源/漏极中形成金属硅化物区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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