[发明专利]干式蚀刻气体及干式蚀刻方法无效
| 申请号： | 200580025518.X | 申请日： | 2005-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101015044A | 公开（公告）日： | 2007-08-08 |
| 发明（设计）人： | 关屋章;杉本达也;山田俊郎;间濑贵信 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人产业技术综合研究所;日本瑞翁株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及由分子内具有醚键或羰基及氟原子、仅由碳原子、氟原子及氧原子构成、且氟原子数与碳原子数之比(F/C)为1.9以下、碳原子数为4～6的含氟化合物(其中环状醚键为1个、碳碳双键为1个的含氟化合物及羰基为1个的含氟饱和化合物除外)构成的干式蚀刻气体；由选自稀有气体、O2、O3、CO、CO2、CHF3、CH2F2、CF4、C2F6及C3F8的至少1种气体和上述干式蚀刻气体构成的混合干式蚀刻气体；将上述干式蚀刻气体等离子体化加工半导体材料的干式蚀刻方法等。根据本发明，提供能够安全地使用、对地球环境的影响小、能够对半导体材料高选择性且以高干式蚀刻速率实现图案形状良好的干式蚀刻的干式蚀刻气体、及使用该干式蚀刻气体的干式蚀刻方法等。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 气体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种干式蚀刻气体，所述干式蚀刻气体由碳原子数为4～6的含氟化合物构成，但是环状醚键为1个、碳碳双键为1个的含氟化合物、及羰基为1个的含氟饱和化合物除外，所述含氟化合物在分子内具有醚键或羰基及氟原子、仅由碳原子、氟原子及氧原子构成、且氟原子数与碳原子数之比(F/C)为1.9以下。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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