[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体晶片分割掩膜的形成装置有效
| 申请号： | 200580025755.6 | 申请日： | 2005-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101002315A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 土师宏;有田洁;西中辉明 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 孙纪泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在其中形成有多个半导体器件的半导体晶片的掩膜放置侧表面上放置掩膜，同时限定用于将所述半导体晶片分割成为各个分开的半导体器件的分割线，并且，在各个半导体器件中，缺陷半导体器件的表面被局部暴露，且然后通过对所述半导体晶片的掩膜放置侧表面实施等离子蚀刻，从而沿着所限定的分割线将所述半导体晶片分割成为各个半导体器件，并将缺陷半导体器件的暴露部去除，以便形成去除部作为缺陷半导体器件区分标记。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 以及 半导体 晶片 分割 形成 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：在其中形成有多个半导体器件的半导体晶片的掩膜放置侧表面上放置掩膜，同时限定分割线以便将所述半导体晶片分割成为各个分开的半导体器件，并在各个半导体器件中的缺陷半导体器件上局部暴露出所述掩膜放置侧表面；以及通过对所述半导体晶片的掩膜放置侧表面实施等离子蚀刻，沿着所限定的分割线将所述半导体晶片分割成为各个半导体器件，并将缺陷半导体器件的暴露部去除，以便形成去除部作为用于缺陷半导体器件的区分标记，从而制造出区别于缺陷半导体器件的、分开的各个半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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