[发明专利]在半导体器件中评估区域电特性之方法无效
| 申请号： | 200580025772.X | 申请日： | 2005-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101010804A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | F·维尔布赖特;G·布尔巴赫;K·维乔雷克;M·霍斯特曼 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明藉由提供其中包含多个测试垫的测试结构，而可以一种极有效率之方式决定诸如电子迁移率等的受应力及应变影响的电气特性之各向异性特性。此外，该测试垫可在符合个别电路组件的大小尺度之空间分辨率下进行对应力及应变诱发的修改之侦测。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 评估 区域 特性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包含：在位于衬底(101)之上的器件层中形成的半导体区(102)；以及在电气上耦合到该半导体区(102)的多个测试垫(104)，用以量测该半导体区(102)的至少一个方向特性，该测试垫(104)中的头两个测试垫沿着第一方向配置，且该测试垫(104)中的另外的两个测试垫沿着与该第一方向不同的第二方向配置。
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