[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200580025836.6 | 申请日： | 2005-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1993816A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;田中幸一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 当用常规的脉冲激光照射半导体膜时，在半导体膜的表面上引起称作脊的不平坦。在顶栅型TFT的情况下，元件的特性根据脊而改变，具体地说，有在彼此电学并联的多个薄膜晶体管中存在变化的问题。根据本发明，在制造包括多个薄膜晶体管的电路时，增大通过用连续波激光照射半导体膜熔化的区域(不包括微晶区域)的宽度LP，并且在一个区域中设置多个薄膜晶体管(彼此并联电连接)的有源层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中在具有绝缘表面的衬底上面形成有半导体薄膜，并且用连续波激光束照射以熔化并冷却该半导体薄膜使之再结晶，并且所述装置包括每个都使用半导体薄膜作为有源层的多个薄膜晶体管；其中所述多个薄膜晶体管并联电连接，并且其中WC和WS的总和小于连续波激光束的宽度LP，其中WC是多个薄膜晶体管中沟道形成区宽度的和，而WS是沟道形成区间的间隔的和。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
