[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200580025979.7 | 申请日： | 2005-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101002332A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 中山达峰;宫本广信;安藤裕二;葛原正明;冈本康宏;井上隆;幡谷耕二 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/80;H01L29/49;H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，其能够抑制电流崩塌且还能够防止电介质击穿电压和增益降低，从而可以进行高电压操作并实现理想的高输出。在基板(101)上，形成有：由第一GaN基半导体制成的缓冲层(102)、由第二GaN基半导体制成的载流子迁移层(103)和由第三GaN基半导体制成的载流子提供层(104)。通过去除部分第一绝缘膜(107)和部分载流子提供层(104)，制成凹陷结构(108)。接下来，淀积栅绝缘膜(109)，并且随后形成栅电极(110)，从而填充凹陷部分(108)并覆盖在残留有第一绝缘膜(107)的区域上，由此它在漏电极侧上的部分长于它在源电极侧上的部分。使用这样的凹陷结构提供了能够进行高电压操作的高输出半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于：所述半导体器件是由第III-V族氮化物半导体制成的场效应晶体管，其包括栅电极和半导体层之间的绝缘膜；以及配置在栅电极和半导体层之间的绝缘膜的厚度在两个或更多等级中变化。
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