[发明专利]移位寄存器电路无效
| 申请号： | 200580025991.8 | 申请日： | 2005-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1993726A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | S·C·迪恩 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/36 | 分类号： | G09G3/36;G11C19/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;张志醒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 移位寄存器电路的每一级包括：连接到前一级的输出端的第一输入端(Rn－1)；用于把第一钟控功率线电压(Pn)耦合到该级的输出端(Rn)的驱动晶体管(Tdrive)；用于补偿该驱动晶体管的寄生电容的影响的补偿电容器(C1)；连接在该驱动晶体管的栅极和该级的输出端(Rn)之间的第一自举电容器(C2)；以及用于对第一自举电容器(C2)进行充电并且由第一输入端(Rn－1)控制的输入晶体管(Tin1)。每一级包括耦合到该级的两级之前的那一级的输出端(Rn－2)的输入部分(10)。使用两个自举电容器使得所述电路对于阈值电压电平或其变化较不敏感，并且允许使用非晶硅技术来实现所述电路。 | ||
| 搜索关键词： | 移位寄存器 电路 | ||
【主权项】：
1、一种包括多级的移位寄存器电路，每一级包括：连接到前一级的输出端的第一输入端(Rn-1)；用于把第一钟控功率线电压(Pn)耦合到该级的输出端(Rn)的驱动晶体管(Tdrive)；用于补偿该驱动晶体管的寄生电容的影响的补偿电容器(C1)；连接在该驱动晶体管的栅极和该级的输出端(Rn)之间的第一自举电容器(C2)；以及用于对第一自举电容器(C2)进行充电并且由第一输入端(Rn-1)控制的输入晶体管(Tin1)，其中，每一级还包括耦合到该级的两级之前的那一级的输出端(Rn-2)的输入部分(10)，并且该输入部分包括连接在所述输入晶体管(Tin1)和第一输入端(Rn-1)之间的第二自举电容器(C3)。
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