[发明专利]用来沉积用于有机电子器件的材料的楔形掩模无效

专利信息
申请号: 200580026133.5 申请日: 2005-08-02
公开(公告)号: CN1993833A 公开(公告)日: 2007-07-04
发明(设计)人: C·D·麦克费森;M·斯坦纳;M·安洛阿;P·A·桑托;S·卡塔什 申请(专利权)人: E.I.内穆尔杜邦公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/56;H01L51/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 朱黎明
地址: 美国特*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种电子器件包括基材,具有开口的结构,以及覆盖所述结构和位于所述开口内的第一电极。从截面图来看,所述结构在开口处具有负斜率。从俯视角度来看,各开口的周边可以基本与有机电子部件的周边相对应,也可不与之相对应。所述覆盖所述结构和位于开口内的第一电极的一些部分互相连接。在用来形成电子器件的方法中,可以在所述开口内沉积有机活性层,所述有机活性层包含液体组合物。
搜索关键词: 用来 沉积 用于 有机 电子器件 材料 楔形
【主权项】:
1.一种电子器件,该电子器件包括:基材;具有开口的结构,从截面图观察,所述结构在开口处具有负斜率,从俯视角度观察,各开口的周边与有机电子器件的周边基本相对应;覆盖所述结构并位于所述开口内的第一电极,覆盖所述结构和位于所述开口内的第一电极的一些部分互相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于E.I.内穆尔杜邦公司,未经E.I.内穆尔杜邦公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200580026133.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top