[发明专利]在图形化硅上制作碲化镉汞无效
| 申请号： | 200580026329.4 | 申请日： | 2005-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN101006208A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | L·布克尔;J·W·凯恩斯;J·吉斯;N·T·戈登;A·格拉哈姆;J·E·海尔斯;D·J·哈尔;C·J·霍利尔;G·J·普赖斯;A·J·赖特 | 申请（专利权）人： | 秦内蒂克有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;H01L31/18;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘红;魏军 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明涉及在图形化的硅上制造碲化镉汞(CMT)，具体地涉及在承载集成电路的硅衬底上生长CMT。本发明的方法涉及首先通过MBE生长一个或多个缓冲层并随后通过MOVPE生长CMT，由此在硅衬底上的选定生长窗口内生长CMT。可以通过掩蔽生长窗口的外部区域而定义该生长窗口。该生长窗口内的生长是晶态的，而生长窗口外部的任何生长是多晶的并可通过刻蚀而清除。本发明提供了直接在集成电路上生长CMT结构的方法，消除了混合的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 化硅上 制作 碲化镉汞 | ||
【主权项】：
1.一种制作红外装置的方法，包括步骤：取其上形成了集成电路的硅衬底，通过分子束外延在至少一个生长窗口选择性生长至少一个晶态缓冲层，以及通过金属有机气相外延在所述缓冲层上选择性生长至少一个晶态CMT层。
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