[发明专利]薄膜形成装置无效
| 申请号： | 200580026467.2 | 申请日： | 2005-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1993492A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 宋亦周;荒井彻治;千叶幸喜;樱井武;姜友松 | 申请（专利权）人： | 株式会社新柯隆 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈坚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜形成装置，该薄膜形成装置能够使等离子中一定程度的比例的离子与薄膜接触来进行成膜。薄膜形成装置(1)具有：等离子发生单元(80)，其设在真空槽(11)的与所述开(11a)对应的位置，并在真空槽(11)内产生等离子；基板保持架(13)，其在真空槽(11)内保持基体；离子消灭单元(90)，其设在等离子发生单元(80)和基板保持架(13)之间。离子消灭单元(90)在从等离子发生单元(80)面向基板保持架(13)的方向上相对于等离子发生单元(80)遮蔽基板保持架(13)的面积，小于离子消灭单元(90)在从等离子发生单元(80)面向基板保持架(13)的方向上的剩余面积。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜形成装置，其特征在于，该薄膜形成装置具有：具有开口的真空槽；等离子发生单元，其设在该真空槽的与所述开口对应的位置，并在所述真空槽内产生等离子；在所述真空槽内保持基体的基体保持单元；和离子消灭单元，其设在所述等离子发生单元和所述基体保持单元之间，并使由所述等离子发生单元产生的离子消灭，所述离子消灭单元在从所述等离子发生单元面向所述基板保持架的方向上相对于等离子发生单元遮蔽所述基体保持单元的面积，小于所述等离子发生单元在从所述等离子发生单元面向所述基板保持架的方向上的剩余面积。
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