[发明专利]电容器成膜材料无效
| 申请号： | 200580026499.2 | 申请日： | 2005-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1993812A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 斋笃;柳泽明男;曾山信幸 | 申请（专利权）人： | 三菱麻铁里亚尔株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘冬;李炳爱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成电容器薄膜的新型材料，所述材料的阶梯覆盖优异且生长速率快。使用这种材料，可制得具有作为电容器薄膜的优异特性的含铪薄膜，所述优异特性例如介电常数高且与Si的反应性低。更具体地讲，本发明公开了一种形成由配备在半导体存储装置中的二氧化铪组成的电容器薄膜的材料。这种形成电容器薄膜的材料的特征在于由有机铪化合物组成，所述有机铪化合物例如为Hf(R1R2N)4和Hf(OR3)4－n(R4)n)，且作为不可避免的杂质的Nb含量不大于1ppm。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 材料 | ||
【主权项】：
1.一种包含配备在半导体存储装置中的二氧化铪薄膜的电容器成膜材料，其中所述成形材料包含有机铪化合物，且作为不可避免化合物的Nb含量为1ppm或更低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
