[发明专利]半导体开关装置和电子设备无效

专利信息
申请号: 200580026543.X 申请日: 2005-08-03
公开(公告)号: CN101019319A 公开(公告)日: 2007-08-15
发明(设计)人: 米歇尔·齐克里;卢卡·贝尔托利尼;帕特里斯·贝塞;玛丽斯·巴夫卢尔;尼古拉斯·诺希尔 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司;法国国家科学研究中心
主分类号: H03K17/082 分类号: H03K17/082
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏;黄启行
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种半导体开关装置(300),其包括双极型晶体管(302)和半导体功率开关(301),其具有输入节点(306)、输出节点(304)和控制节点(305),该控制节点(305)用于允许在所述输入节点(306)和输出节点(307)之间形成电流路径。双极型晶体管(302)连接在输入节点(306)和控制节点(305)之间,这样当接收到静电放电脉冲时,所述双极型晶体管(302)允许电流从输入节点(306)流到控制节点(305),而当在输入节点(306)处超出预定电压时,则双极型晶体管(302)允许控制节点(305)使电流从输入节点(306)流到输出节点(307)。因此,所述双极型晶体管器件保护了例如LDMOS的所述半导体开关器件免于ESD,也就是保护其免于比如在小于1微秒内几安培的功率波动。
搜索关键词: 半导体 开关 装置 电子设备
【主权项】:
1.一种半导体开关装置(300),其包括双极型晶体管(302)和半导体功率开关(301),其具有输入节点(306)、输出节点(304)和控制节点(305),用于允许在输入节点(306)和输出节点(307)之间形成电流路径,其特征在于:双极型晶体管(302)连接在输入节点(306)和控制节点(305)之间,这样当接收到静电放电脉冲时,该双极型晶体管(302)允许电流从输入节点(306)流到控制节点(305);以及当在输入节点(306)处超出预定电压时,允许所述控制节点(305)使电流从输入节点(306)流到输出节点(307)。
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