[发明专利]用于分解气体的反应器的制造方法无效
申请号: | 200580026578.3 | 申请日: | 2005-07-26 |
公开(公告)号: | CN1993494A | 公开(公告)日: | 2007-07-04 |
发明(设计)人: | A·米勒;T·西尔 | 申请(专利权)人: | 联合太阳能硅有限及两合公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/24;C23C16/04;C30B25/00;C30B29/06;C01B33/027 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 吴鹏;马江立 |
地址: | 德国弗*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种用于分解含硅气体(7)的反应器(12)的制造方法,该方法包括下列步骤:制造基本呈管状的反应器坯件(2),该坯件包括内壁(3)和外壁(4);至少在所述反应器坯件(2)的内壁(3)上涂覆隔离层(11),该隔离层包括粉状隔离介质。设有隔离层(11)的反应器(12)简单而有效地保护内壁(3)以防止硅粉的沉积。所述隔离层(11)和沉积在其上的硅粉能够以机械的方式容易地去除,而不损坏所述内壁(3)。 | ||
搜索关键词: | 用于 分解 气体 反应器 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于分解含硅气体(7)的反应器(12)的制造方法,该方法包括以下步骤:a.提供具有内壁(3)和外壁(4)的、基本呈管状的反应器坯件(2),以及b.至少在所述反应器坯件(2)的内壁(3)上涂覆含有粉状隔离介质的隔离层(11)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的