[发明专利]从熔化物生长单晶的方法

摘要

本发明涉及在晶种上从熔化物生长单晶的技术。本发明要解决的技术问题是提供生长各种化学组成(例如A₂B₆和A₂B₅型)的单晶以及难熔氧化物(例如蓝宝石单晶)的通用方法。本发明技术的成果在于通过在生长过程中消除了熔化物过冷而在要生长的单晶的材料、改善的性能和所得单晶改善的结构完好性方面具有普适性。如下获得所述技术效果：在从熔化物生长单晶的方法中包括通过在控制地除去结晶热并使用构成高温区的独立热源的同时使熔化物在晶种上结晶以熔化原材料并抽拉单晶，根据本发明，所述独立热源构成两个等尺寸的共轴布置的高温区，其组成熔化物和正在生长的单晶的统一高温区域，所述高温区由熔化物表面分开，在两个阶段中实施原材料的熔化：首先通过向上加热器供给获得熔化物所需功率的30－50％以加热上高温区，直至在上高温区中达到最大温度，这就保证了晶种固相的稳定状态；然后在维持上高温区的温度恒定的同时，将剩余的功率供给下高温区至下加热器，直至完成进料的熔化；在控制地降低上高温区中的温度的同时，进行单晶增大和生长的过程，使供给下高温区的功率的量保持恒定。

主权项

1.一种通过从熔化物生长来制备单晶的方法，其包括通过在控制地除去结晶热并使用构成高温区的独立热源的同时使熔化物在晶种上结晶以熔化原材料并抽拉单晶，所述方法的特征在于所述独立热源构成两个等尺寸的共轴布置的高温区，该高温区组成熔化物和正在生长的单晶的统一高温区域，所述高温区由熔化物表面分开，在两个阶段中实施原材料的熔化：首先通过向上加热器供给获得熔化物所需功率的30-50％以加热上高温区，直至在上高温区中达到最大温度，这就保证了晶种固相的稳定状态；然后在维持上高温区的温度恒定的同时，将剩余的功率供给下高温区至下加热器，直至完成进料的熔化；在控制地降低上高温区中的温度的同时，进行单晶增大和生长的过程，使供给下高温区的功率的量保持恒定。