[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

具有：铁电电容器42，其形成在半导体基板10上，且具有下部电极36、形成在下部电极36上的铁电膜38、形成在铁电膜38上的上部电极40；氧化硅膜60，其形成在半导体基板10上及上述铁电电容器42上，且表面被平坦化；平坦的阻挡膜62，其中间夹着氧化硅膜61而形成在氧化硅膜60上，来防止氢或水分的扩散；氧化硅膜74，其形成在阻挡膜62上，且表面被平坦化；平坦的阻挡膜78，其中间夹着氧化硅膜76而形成在氧化硅膜74上，来防止氢或水分的扩散。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：铁电电容器，其形成在半导体基板上，且具有下部电极、形成在上述下部电极上的铁电膜、形成在上述铁电膜上的上部电极；第一绝缘膜，其形成在上述半导体基板上及上述铁电电容器上，且表面被平坦化；平坦的第一阻挡膜，其形成在上述第一绝缘膜上，来防止氢或水分的扩散；第二绝缘膜，其形成在上述第一阻挡膜上，且表面被平坦化；平坦的第二阻挡膜，其形成在上述第二绝缘膜上，来防止氢或水分的扩散。